Lo sputtering è una delle tecniche principali per la preparazione di materiali a film sottile. Utilizza ioni prodotti dalla sorgente di ioni per accelerare l'accumulo nel vuoto e forma un fascio di ioni ad alta velocità, bombarda la superficie solida e scambia energia cinetica tra ioni e atomi su una superficie solida, in modo che gli atomi sulla superficie solida lascino la superficie solida e si depositino su la superficie di base e sono bombardati. Il solido colpito è la materia prima per la preparazione di film sottili depositati sputtering, che viene chiamato bersaglio sputtering.
appliction
Gli obiettivi di sputtering sono utilizzati principalmente nelle industrie elettroniche e dell'informazione, come circuiti integrati, memorizzazione delle informazioni, display a cristalli liquidi, memoria laser, dispositivi di controllo elettronico, ecc. Possono anche essere utilizzati nel campo del rivestimento in vetro, materiali resistenti all'usura, elevati -temperatura alla corrosione, prodotti decorativi di alta qualità e altre industrie.
Classificazione
A seconda della forma, può essere diviso in bersaglio quadrato, bersaglio circolare e bersaglio anormale.
Secondo la composizione, può essere diviso in target metallico, target in lega e target composto ceramico.
A seconda del campo di applicazione, può essere diviso in target microelettronico, target di registrazione magnetica, target CD-ROM, target metallo prezioso, target resistenza film sottile, target film conduttivo, target modificato superficie, target maschera ottica, target strato decorativo, target elettrodo , target di confezionamento e altri target.
Materiali metallici di elevata purezza e persino di purezza ultra elevata sono la base per la produzione di materiali target sputtering di elevata purezza. Prendendo ad esempio i materiali target di sputtering per i chip di semiconduttori, se il contenuto di impurità dei materiali target di sputtering è troppo alto, il film formato non può soddisfare le prestazioni elettriche richieste e le particelle si formano facilmente sul wafer durante il processo di sputtering, causando un cortocircuito o perdita del circuito. Cattivo, influenza seriamente le prestazioni del film.
